[发明专利]MEMS结构、MEMS组件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810015599.4 申请日: 2018-01-08
公开(公告)号: CN108147360A 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 季锋;闻永祥;刘琛;刘健 申请(专利权)人: 杭州士兰微电子股份有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 310012*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了MEMS结构、MEMS组件及其制造方法。所述方法包括形成模板层;在模板层中形成第一凹槽以及围绕第一凹槽的多个第二凹槽;在模板层上形成停止层,共形地覆盖模板层;在停止层上形成牺牲层,填充第一凹槽和多个第二凹槽;在停止层和牺牲层上形成掩模层,覆盖牺牲层;在掩模层上形成多个释放孔;经由多个释放孔和多个第二凹槽去除牺牲层形成空腔;以及在掩模层上形成封闭层,封闭层封闭多个释放孔,其中,多个第二凹槽与释放孔的位置相对应,封闭层包括多个突出部,多个突出部穿过多个释放孔插入至多个第二凹槽中,从而形成栓塞以封闭多个释放孔。该方法利用栓塞结构填充释放孔以及封闭空腔,以提高MEMS结构的工作稳定性和可靠性。
搜索关键词: 释放孔 模板层 牺牲层 封闭层 停止层 掩模层 突出部 填充 工作稳定性 封闭空腔 栓塞结构 封闭 栓塞 覆盖 共形 空腔 去除 制造 穿过 申请
【主权项】:
一种用于制造MEMS结构的方法,包括:形成模板层;在所述模板层中形成第一凹槽以及围绕所述第一凹槽的多个第二凹槽;在所述模板层上形成停止层,所述停止层共形地覆盖所述模板层;在所述停止层上形成牺牲层,所述牺牲层填充所述第一凹槽和所述多个第二凹槽;在所述停止层和所述牺牲层上形成掩模层,所述掩模层覆盖所述牺牲层;在所述掩模层上形成多个释放孔;经由所述多个释放孔和所述多个第二凹槽去除所述牺牲层形成空腔;以及在所述掩模层上形成封闭层,所述封闭层封闭所述多个释放孔,其中,所述多个第二凹槽与所述释放孔的位置相对应,所述封闭层包括多个突出部,所述多个突出部穿过所述多个释放孔插入至所述多个第二凹槽中,从而形成栓塞以封闭所述多个释放孔。
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