[发明专利]二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备

摘要

本发明公开一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器及制备，属于材料应用技术领域。本发明包括绝缘衬底、隧穿层、金属电极、二硒化钨纳米片。本发明利用光照下二硒化钨和金属形成的肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间。

主权项

1.一种二硒化钨和金属垂直型肖特基结自驱动光电探测器，其特征在于，该探测器利用二硒化钨纳米片与金属形成的肖特基结来有效分离光生电子空穴对，在光照下二硒化钨和金属肖特基结所产生的光伏效应，实现器件自驱动探测，垂直结构扩大结区受光面积，控制二硒化钨层数实现探测波长范围可调，隧穿层抑制反向电流的增加，提高了探测器的灵敏度和响应时间；该自驱动光电探测器包括源极，隧穿层，二硒化钨层，漏极，绝缘衬底；其中，所述源极设置在所述绝缘衬底一侧的上端，所述隧穿层覆盖在所述源极和所述绝缘衬底的另一侧，所述二硒化钨层覆盖在所述隧穿层上，所述漏极设置在所述绝缘衬底的另一侧的所述二硒化钨层上端；所述隧穿层为三氧化二铝、二氧化铪或二氧化硅。