[发明专利]包括坩埚和调节构件的拉晶系统和方法有效

专利信息
申请号: 201810008152.4 申请日: 2018-01-04
公开(公告)号: CN108265328B 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: S·塞佩达;R·J·菲利普斯;C·V·吕尔斯;S·L·金贝尔;H·W·科布;J·D·霍尔德;C·M·哈德森;H·斯里达哈拉默西;S·哈灵格尔;M·萨多尼 申请(专利权)人: 各星有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 俞翠华
地址: 中国香港九龙柯士甸道西1号,*** 国省代码: 香港;81
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摘要: 发明涉及用于从熔体形成锭的系统和方法。所述系统包括:限定了用于接收熔体的空腔的坩埚;用于限制所述熔体移动的第一屏障和第二屏障,布置第一通道和第二通道以允许位于外区内的熔体移动到过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区。调节构件放置在所述区的至少一个中,并且布置成接触熔体以减少熔体中的微空隙的数量。
搜索关键词: 包括 坩埚 调节 构件 晶系 方法
【主权项】:
1.一种用于从熔体形成锭的系统,所述系统包括:限定了用于接收熔体的空腔的坩埚;设置在所述空腔中以限制所述熔体移动的第一屏障,所述坩埚和所述第一屏障形成外区,所述第一屏障包括第一通道;和设置在所述空腔中的第二屏障,用于限制所述熔体从所述第二屏障的外部移动到所述第二屏障的内部,所述第一屏障和所述第二屏障限定了在二者之间的过渡区,所述第二屏障形成内区并且包括第二通道,其中所述第一通道和所述第二通道布置成允许位于所述外区内的熔体移动到所述过渡区以及穿过所述过渡区进入所述内区;和安置在第一屏障和第二屏障之间的过渡区中的调节构件,所述调节构件布置成接触所述过渡区中的熔体并减少熔体中的微空隙的数量。
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