[发明专利]离子布植机及离子布植机腔室的制造方法有效
| 申请号： | 201810000743.7 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN109994351B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 林宜静;陈其贤;吴欣贤;张钧琳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/02 | 分类号： | H01J37/02;H01J37/317;H01L21/67;H01L31/18;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种离子布植机及离子布植机腔室的制造方法。此离子布植机包含腔室。腔室包含至少一第一腔壁及第一类金刚石碳层。所述至少一第一腔壁定义出制程空间。第一类金刚石碳层配置于所述至少一第一腔壁上。第一类金刚石碳层包含经修饰的第一表面，经修饰的第一表面面向制程空间。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 布植机 布植机腔室 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子布植机，其特征在于，包含：一腔室，包含：至少一第一腔壁，该至少一第一腔壁定义出一制程空间；以及一第一类金刚石碳层，配置于该至少一第一腔壁上，该第一类金刚石碳层包含经修饰的一第一表面，经修饰的该第一表面面向该制程空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810000743.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
