[发明专利]降低寄生电容并耦合到电感耦合器模式在审
| 申请号： | 201780085510.5 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN110249343A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | A.E.梅格兰特 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G06N10/00 | 分类号： | G06N10/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金玉洁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；电介质衬底的表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，并且超导体层的至少一部分与电介质衬底的表面接触，并且其中超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度下表现出超导体特性的超导体材料形成；电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，并且其中沟槽的电容率小于电介质衬底的电容率。 | ||
| 搜索关键词： | 超导体层 电介质衬 电容率 超导体材料 电感耦合器 边缘延伸 导体特性 方向延伸 寄生电容 耦合器件 耦合到 量子 邻近 表现 | ||
【主权项】：
1.一种量子比特耦合器件，包括：包括沟槽的电介质衬底；和电介质衬底表面上的第一超导体层，其中第一超导体层的边缘沿着第一方向延伸，其中所述超导体层的至少一部分与所述电介质衬底的表面接触，并且其中所述超导体层由在相应的临界温度或低于相应的临界温度时表现出超导体特性的超导体材料形成，并且其中所述电介质衬底内的沟槽的长度与第一超导体层的边缘邻近并在第一方向上沿着第一超导体层的边缘延伸，其中所述沟槽的电容率小于所述电介质衬底的电容率。
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