[发明专利]包括绕组结构的次级侧装置和用于制造次级侧装置的方法有效
| 申请号： | 201780071697.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110023133B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | R·林特;F·加西亚;R·查因斯基;D·安德斯;A·克林斯波尔 | 申请（专利权）人： | 庞巴迪无接触运行有限责任公司 |
| 主分类号： | B60L53/12 | 分类号： | B60L53/12;H01F3/10;H01F27/36;H01F38/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)和用于制造这种次级侧装置(3)的方法，其中，次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W)，其中，次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e)，其中，次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c)，其中，所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度，和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 绕组 结构 次级 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括至少一个次级绕组结构(W)的次级侧装置(3)，其中，所述次级侧装置(3)包括至少一个相线和每个相线一个次级绕组结构(W)，其中，次级侧装置包括至少两个导磁元件(5、5a、5b、5c、5d、5e)，其中，次级侧装置包括至少一个横向外导磁元件(5a、5d、5e、5f)和至少一个内导磁元件(5b、5c)，其特征在于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5d)的宽度大于所述至少一个内导磁元件(5b、5c)的宽度和/或所述至少一个内导磁元件(5b、5e)的长度(L_5b、L_5e)小于所述至少一个横向外导磁元件(5a、5f)的长度(L_5a、L_5f)。
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