[发明专利]用于高模数ALD SiO2 有效
| 申请号： | 201780070305.1 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109937467B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 克洛伊·巴尔达赛罗尼;尚卡尔·斯瓦米纳坦 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;邱晓敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了使用原子层沉积形成高模量氧化硅间隔物的方法和装置。方法包括在高温下沉积，使用高等离子体能量，以及使用紫外线辐射对沉积的氧化硅进行后处理。这种氧化硅隔离物适合用作多个图案化应用中的掩模以防止间距行走。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高模数 ald sio base sub | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上进行多次图案化的方法，该方法包括：提供具有图案化的芯材料的衬底；将所述衬底暴露于交替暴露的含硅前体和氧化剂；以及当将所述衬底暴露于所述氧化剂时点燃等离子体，以在所述图案化的芯材料上形成具有至少55GPa的弹性模量的保形氧化硅间隔物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
