[发明专利]用于奇数模存储器通道交织的系统和方法有效
| 申请号： | 201780038008.9 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN109313609B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | D·T·全 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张扬;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于提供奇数模存储器通道交织的系统可以包括动态随机存取存储器(DRAM)系统和片上系统(SoC)。SoC包括第一存储器控制器、第二存储器控制器和对称存储器通道交织器。第一存储器控制器经由第一存储器总线电耦合到第一DRAM模块。第二存储器控制器经由第二存储器总线电耦合到第二DRAM模块和第三DRAM模块。对称存储器通道交织器被配置为将DRAM业务均匀地分配给第一存储器控制器和第二存储器控制器。第一存储器控制器经由第一存储器总线向第一DRAM模块提供第一经交织通道。第二存储器控制器经由第二存储器总线上的高位地址位向第二DRAM模块提供第二经交织通道。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 数模 存储器 通道 交织 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于提供奇数模存储器通道交织的系统，所述系统包括：动态随机存取存储器(DRAM)系统；以及片上系统(SoC)，所述SoC包括：第一存储器控制器，所述第一存储器控制器经由第一存储器总线电耦合到第一DRAM模块；第二存储器控制器，所述第二存储器控制器经由第二存储器总线电耦合到第二DRAM模块和第三DRAM模块；以及对称存储器通道交织器，所述对称存储器通道交织器被配置为将DRAM业务均匀地分配给所述第一存储器控制器和所述第二存储器控制器，其中，所述第一存储器控制器经由所述第一存储器总线向所述第一DRAM模块提供第一经交织通道，以及所述第二存储器控制器经由所述第二存储器总线上的高位地址位向所述第二DRAM模块提供第二经交织通道，并且经由所述第二存储器总线上的低位地址位向所述第三DRAM模块提供第三经交织通道。
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