[发明专利]使用了MFI型沸石(纯硅沸石)的分离膜的制造方法在审

专利信息
申请号: 201780032720.8 申请日: 2017-06-13
公开(公告)号: CN109195693A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 矢野和宏;板仓正也;筱矢健太郎;今坂怜史 申请(专利权)人: 日立造船株式会社
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D69/10;B01D69/12;C01B37/02;C04B41/85
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种未使用导致对装置设备及工序时间的成本高的NaOH等且具备纯硅沸石膜的分离膜的制造方法。该分离膜的制造方法为具备多孔支撑体、及在该支撑体上形成的具有MFI型沸石结晶结构的纯硅沸石膜的分离膜的制造方法,其特征在于,包括:制备晶种的步骤;使晶种附着于多孔支撑体上的步骤;制备包含SiO2、有机模板剂及H2O的膜合成原料组合物的步骤;以及将附着有晶种的多孔支撑体浸渍于上述膜合成原料组合物从而进行水热合成的步骤,膜合成原料组合物的组成比为SiO2:有机模板剂:H2O=1:(0.05~0.15):(50~120)。
搜索关键词: 分离膜 多孔支撑体 原料组合物 膜合成 纯硅 晶种 有机模板剂 沸石膜 制造 附着 制备 浸渍 结晶结构 水热合成 装置设备 未使用 支撑体 组成比 沸石
【主权项】:
1.一种分离膜的制造方法,其为具备多孔支撑体、及在该支撑体上形成的具有MFI型沸石结晶结构的纯硅沸石膜的分离膜的制造方法,其特征在于,包括:制备晶种的步骤;使所述晶种附着于所述多孔支撑体上的步骤;制备包含SiO2、有机模板剂及H2O的膜合成原料组合物的步骤;以及将附着有所述晶种的所述多孔支撑体浸渍于所述膜合成原料组合物从而进行水热合成的步骤,所述膜合成原料组合物的组成比为SiO2:有机模板剂:H2O=1:(0.05~0.15):(50~120)。
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