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[发明专利]沸石分离膜及其制造方法-CN201780009160.4有效
发明人：今坂怜史;板仓正也;矢野和宏;山本秀树;荒木贞夫 -专利权人：日立造船株式会社;学校法人关西大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不会因水分子的吸附而导致处理量降低的、分离二氧化碳等的全硅沸石分离膜及其制造方法。本发明之一为一种沸石分离膜，其为在多孔载体上形成的沸石晶体结构的骨架为全硅的沸石分离膜，其特征在于，多孔载体上形成的沸石晶体结构为无氟。另一个发明为一种沸石分离膜的制造方法，其为在多孔载体上具有沸石晶体结构的沸石分离膜的制造方法，其特征在于，包括：制造晶种的步骤；将晶种涂布在多孔载体上的步骤；制备膜合成原料组合物的步骤；以及，将涂布有晶种的多孔载体浸渍于膜合成原料组合物并进行水热合成的步骤，膜合成原料组合物包含硅源及有机模板剂，不包含氟化合物。
分离及其制造方法

[发明专利]沸石膜、其制备方法及使用了该沸石膜的分离方法-CN201580035833.4有效
发明人：今坂怜史;板仓正也;长谷川泰久;佐藤刚一 -专利权人：日立造船株式会社
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B01D69/10 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种沸石膜，其在通过沸石分离膜进行的分离中，不仅兼具在实用上充分高的分离性能与处理量，还可保持长期间稳定的分离性能。CHA型沸石颗粒的Si/Al(摩尔比)为9.5～100.5，在对沸石膜表面照射X射线而得到的X射线衍射图中，2θ＝18°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的0.5倍，及/或2θ＝10°附近的峰强度小于2θ＝21°附近的峰强度的4倍。在使用含有Si元素源、Al元素源、碱源及有机模板的水性反应混合物，通过水热合成，在多孔支持体的中间层上形成具有CHA型晶体结构的沸石膜时，使用未经脱铝处理的FAU型沸石作为Si元素源及Al元素源。
沸石膜制备方法使用分离

[发明专利]使用了MFI型沸石(纯硅沸石)的分离膜的制造方法-CN201780032720.8在审
发明人：矢野和宏;板仓正也;筱矢健太郎;今坂怜史 -专利权人：日立造船株式会社
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明提供一种未使用导致对装置设备及工序时间的成本高的NaOH等且具备纯硅沸石膜的分离膜的制造方法。该分离膜的制造方法为具备多孔支撑体、及在该支撑体上形成的具有MFI型沸石结晶结构的纯硅沸石膜的分离膜的制造方法，其特征在于，包括：制备晶种的步骤；使晶种附着于多孔支撑体上的步骤；制备包含SiO₂、有机模板剂及H₂O的膜合成原料组合物的步骤；以及将附着有晶种的多孔支撑体浸渍于上述膜合成原料组合物从而进行水热合成的步骤，膜合成原料组合物的组成比为SiO₂:有机模板剂:H₂O＝1:(0.05～0.15):(50～120)。
分离膜多孔支撑体原料组合物膜合成纯硅晶种有机模板剂沸石膜制造附着制备浸渍结晶结构水热合成装置设备未使用支撑体组成比沸石