[发明专利]隧道磁阻效应元件、磁存储器及内置型存储器有效
| 申请号： | 201780014410.3 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN109937475B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;田中美知 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 效应 元件 磁存储器 内置 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻效应元件，其具备：基底层，其设置于通路配线部的上表面上；磁隧道接合部，其设置于所述基底层的表面上；以及层间绝缘层，其覆盖所述通路配线部及所述基底层的侧面，所述基底层具有应力缓和部，所述磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于所述参照层与所述磁化自由层之间的隧道势垒层，所述层间绝缘层包含绝缘材料。
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