[实用新型]一种真空吸盘有效
| 申请号： | 201721776715.1 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207651467U | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 黄雷 | 申请（专利权）人： | 昆山成功环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种真空吸盘，其包括：吸盘本体，在该吸盘本体的吸附面上设置有涡状线状真空吸槽，该真空吸槽起始端与吸盘本体形心相重合，在真空吸槽的起始端设置有与真空发生器相连通的通气孔。在真空发生器的作用下，真空吸槽内产生负压，临近通气孔的区域先产生负压且其瞬时值较大，随着远离通气孔的路程加长，该区域内负压的产生时间越晚。随着时间的延长，真空吸槽内的负压整体趋于稳定。当真空吸盘对晶圆进行吸附时，靠近真空吸盘形心的区域先被吸附，而后，吸附区域逐步向外缘扩展，这样一来，使得晶圆各部分的形变趋于一致，其表面不易发生凸凹不平的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 真空吸槽 真空吸盘 负压 通气孔 吸附 真空发生器 吸盘本体 起始端 晶圆 吸盘 本实用新型 凸凹不平 吸附区域 涡状线 形变 重合 加长 形心 路程 | ||
【主权项】：
1.一种真空吸盘，其特征在于，其包括：吸盘本体；在所述吸盘本体的吸附面上设置有涡状线状真空吸槽，所述真空吸槽起始端与所述吸盘本体形心相重合；在真空吸槽的起始端设置有与真空发生器相连通的通气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
