[实用新型]具有非对称通道的固态存储设备有效
申请号: | 201721685459.5 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN207676335U | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 袁戎 | 申请(专利权)人: | 北京忆恒创源科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/1009 | 分类号: | G06F12/1009 |
代理公司: | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人: | 段宇 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了具有非对称通道的固态存储设备。本实用新型的固态存储设备包括控制部件,控制部件通过多个通道耦合到NVM芯片;每个通道耦合一个或多个NVM芯片,NVM芯片包括一个或多个逻辑单元,多个逻辑单元的每个为大块提供物理块,一个或多个第一通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量大于一个或多个第二通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量。 | ||
搜索关键词: | 逻辑单元 通道耦合 芯片 固态存储设备 本实用新型 非对称通道 控制部件 物理块 大块 | ||
【主权项】:
1.一种固态存储设备,其特征在于,包括控制部件,控制部件通过多个通道耦合到NVM芯片;每个通道耦合一个或多个NVM芯片,NVM芯片包括一个或多个逻辑单元,多个逻辑单元的每个为大块提供物理块,一个或多个第一通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量大于一个或多个第二通道耦合的NVM芯片提供的逻辑单元的数量。
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