[实用新型]高精度MEMS气体压力敏感器件

摘要

本实用新型公开一种高精度MEMS气体压力敏感器件，包括衬底、电容器上极板、电容器下极板、上极板上电极和下极板上电极，所述上极板导电层由电导通的上极板导电条和上极板下电极组成，所述下极板导电层由电导通的下极板导电条和下极板下电极组成，所述电容器下极板与下极板导电层电连接；Si3N4绝缘薄层开有上极板导电柱通孔、上极通孔和下极通孔，一上极板导电柱下端位于上极板导电柱通孔内上极板导电柱上端与电容器上极板连接，所述上极板上电极覆盖于上极通孔底部和侧壁并与上极板下电极电接触。本实用新型MEMS气体压力敏感元件具有较高的测量精度和较低的功耗、机械结构稳定性好，且其体积小，成本低。

主权项

1.一种高精度MEMS气体压力敏感器件，其特征在于：包括衬底（1）、电容器上极板（5）、电容器下极板（6）、上极板上电极（5a）和下极板上电极（6a），所述衬底（1）上具有一SiO2绝缘层（2），此SiO2绝缘层（2）上表面具有所述电容器下极板（6）和间隔分布的上极板导电层（9）、下极板导电层（10），所述上极板导电层（9）由电导通的上极板导电条（5c）和上极板下电极（5b）组成，所述下极板导电层（10）由电导通的下极板导电条（6c）和下极板下电极（6b）组成，所述电容器下极板（6）与下极板导电层（10）电连接；一Si3N4绝缘薄层（3）覆盖于上极板导电层（9）、电容器下极板（6）、下极板导电层（10）各自表面，所述电容器上极板（5）位于Si3N4绝缘薄层（3）上方，且电容器上极板（5）的边缘区域与Si3N4绝缘薄层（3）之间间隔地设置有若干个上极板支撑柱（5e），从而在电容器上极板（5）与位于电容器下极板（6）表面的Si3N4绝缘薄层（3）区域之间形成一空腔（8）；所述Si3N4绝缘薄层（3）开有上极板导电柱通孔（7b）、上极通孔和下极通孔，一上极板导电柱（5d）下端位于上极板导电柱通孔（7b）内上极板导电柱（5d）上端与电容器上极板（5）连接，所述上极板上电极（5a）覆盖于上极通孔底部和侧壁并与上极板下电极（5b）电接触，且上极板上电极（5a）延伸至位于上极通孔周边的Si3N4绝缘薄层（3）区域，所述下极板上电极（6a）覆盖于下极通孔底部和侧壁并与下极板下电极（6b）电接触，且下极板上电极（6a）延伸至位于下极通孔周边的Si3N4绝缘薄层（3）区域，一密封环（4）包覆上极板支撑柱（5e）并位于电容器上极板（5）边缘区与Si3N4绝缘薄层（3）之间。