[实用新型]一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件有效
| 申请号： | 201721639987.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN207558815U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐开凯;钱津超;赵建明;于奇;刘继芝;夏建新;周伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/11 | 分类号： | H01L31/11;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所(普通合伙) 13113 | 代理人： | 张红卫;贺寿元 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本实用新型在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本实用新型适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 功率半导体开关器件 光控 半导体功率器件 空穴 击穿电压 基极电极 基极电流 开关切换 器件结构 驱动损耗 透明电极 制造成本 注入电流 发射区 光激发 抗扰度 四棱台 紫外线 基区 耐压 圆角 穿过 响应 引入 | ||
【主权项】：
1.一种光控GaN/SiC基功率半导体开关器件，它包括自上而下依次设置的发射极结构、p型基区（7）、带有n‑型集电区（4）的集电极结构、n+型衬底结构，其特征在于：所述发射极结构包括自上而下依次设置的梳状的金属多层电极（1）、透明电极（2）和n+型发射区（8）；所述梳状的金属多层电极（1）位于透明电极（2）的表面并与该表面直接接触，透明电极（2）与n+型发射区（8）形成欧姆接触；所述p型基区（7）不含基极电极；所述n+型衬底结构包括自上而下设置的n+型衬底（5）和金属电极（6）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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