[实用新型]一种化学法打磨芯片表面粗糙度的装置有效
申请号: | 201721523492.8 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN207441659U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 程崑岚 | 申请(专利权)人: | 固镒电子(芜湖)有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 杨红梅 |
地址: | 241000 安徽省芜*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种化学方法打磨芯片表面粗糙度的装置,涉及半导体器件加工领域,包括密封酸腐蚀槽,酸腐蚀槽底板上安装有可上下升降的旋转载物台,有利于物体的存取,左右相对的两侧设有进酸口和出酸口,进酸口和出酸口通过循环管道连通,且循环管道上安装有循环泵和恒温冷却器,左、右内壁分别安装有网格挡板,挡板上安装有搅拌器,在打磨芯片时,搅拌器的搅拌液体流和旋转载物台形成的旋转流形成一个稳定的流窝,保持化学剂摆动的均匀性,有利于芯片表面打磨的均匀性,减少了吹砂处理工序中破片率。 | ||
搜索关键词: | 打磨 芯片表面 旋转载物台 循环管道 出酸口 粗糙度 搅拌器 进酸口 均匀性 酸腐蚀 化学剂 半导体器件加工 本实用新型 恒温冷却器 挡板 处理工序 上下升降 网格挡板 槽底板 化学法 破片率 旋转流 循环泵 液体流 摆动 吹砂 内壁 连通 存取 密封 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种化学法打磨芯片表面粗糙度的装置,其特征在于,包括密封酸腐蚀槽(1),所述密封酸腐蚀槽(1)底板上安装有可上下升降的旋转载物台(3),左右相对的两侧设有进酸口(9)和出酸口(10),左、右内壁分别安装有网格挡板(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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