[实用新型]利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵

摘要

本实用新型公开了一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其包括有多个两相单级电荷泵电路，两相单级电荷泵电路包括有第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一电容、第二电容和第三电容，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的前端，第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路的后端，多个两相单级电荷泵电路前后依次串联或相互并联，串联时，位于最前的两相单级电荷泵电路的前端接入高电平信号，并联时，多个两相单级电荷泵电路的前端均接入高电平信号。本实用新型成本低廉、结构简单、纹波噪声低。

主权项

一种利用中低压器件在低压下产生高压的多级多相高压电荷泵，其特征在于，包括有多个两相单级电荷泵电路(1)，所述两相单级电荷泵电路(1)包括有第一PMOS管(MP1A)、第二PMOS管(MP2A)、第三PMOS管(MP1)、第四PMOS管(MP2)、第一NMOS管(MN1A)、第二NMOS管(MN2A)、第三NMOS管(MN1)、第四NMOS管(MN2)、第一电容(CC1)、第二电容(CC2)和第三电容(CH1)，其中：所述第一PMOS管(MP1A)的源极连接高电位，所述第一NMOS管(MN1A)的源极接地，所述第一PMOS管(MP1A)的栅极和第一NMOS管(MN1A)的栅极相互连接后接入第一路时钟信号(CLK1)，所述第一PMOS管(MP1A)的漏极、第一NMOS管(MN1A)的漏极和第一电容(CC1)的第一端相连接；所述第二PMOS管(MP2A)的源极连接高电位，所述第二NMOS管(MN2A)的源极接地，所述第二PMOS管(MP2A)的栅极和第二NMOS管(MN2A)的栅极相互连接后接入第二路时钟信号(CLK2)，所述第二路时钟信号(CLK2)与第一路时钟信号(CLK1)的相位相反，所述第二PMOS管(MP2A)的漏极、第二NMOS管(MN2A)的漏极和第二电容(CC2)的第一端相连接；所述第三PMOS管(MP1)的漏极、第三NMOS管(MN1)的漏极、第四PMOS管(MP2)的栅极、第四NMOS管(MN2)的栅极和第一电容(CC1)的第二端相互连接，所述第四PMOS管(MP2)的漏极、第四NMOS管(MN2)的漏极、第三PMOS管(MP1)的栅极、第三NMOS管(MN1)的栅极和第二电容(CC2)的第二端相互连接；所述第三NMOS管(MN1)的源极和第四NMOS管(MN2)的源极相互连接后作为两相单级电荷泵电路(1)的前端，所述第三PMOS管(MP1)的源极、第四PMOS管(MP2)的源极和第三电容(CH1)的第一端相互连接后作为两相单级电荷泵电路(1)的后端，所述第三电容(CH1)的第二端接地，多个两相单级电荷泵电路(1)前后依次串联或相互并联，串联时，位于最前的两相单级电荷泵电路(1)的前端接入高电平信号(VDDA)，并联时，多个两相单级电荷泵电路(1)的前端均接入高电平信号(VDDA)。