[实用新型]表面积增大型三维结构太阳能硅片及太阳能电池有效
申请号: | 201720975102.4 | 申请日: | 2017-08-07 |
公开(公告)号: | CN207074662U | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 万明 | 申请(专利权)人: | 苏州赛万玉山智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/054 |
代理公司: | 南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32297 | 代理人: | 陆明耀 |
地址: | 215311 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型揭示了表面积增大型三维结构太阳能硅片及太阳能电池,表面积增大型三维结构太阳能硅片,包括硅片本体,硅片本体包括槽状基体,槽状基体的凹槽底部间隙分布有一组凸台,每个凸台的顶面与槽状基体的顶面平齐。本实用新型采用槽内形成多个凸台的结构,下表面为平面,具有良好的机械稳定性,能够降低后期加工时破片的风险,具有更大的表面积,光线能够在凸台间隙区域内发生多次反射以增加光线的吸收转化,另外,凸台的顶面、凸台的间隙之间及凹槽基体的顶面为指状太阳能电极的布置提供了充足的空间,避免了波浪形三维结构中电极需要跨越相邻波谷和波峰易出现断裂及不均匀的问题,为后续加工提供了极大的便利性,有利于提高加工效率。 | ||
搜索关键词: | 表面积 增大 三维 结构 太阳能 硅片 太阳能电池 | ||
【主权项】:
表面积增大型三维结构太阳能硅片,包括硅片本体(1),其特征在于:所述硅片本体(1)包括槽状基体(2),所述槽状基体(2)的凹槽(21)底部间隙分布有一组凸台(3),每个所述凸台(3)的顶面与所述槽状基体(2)的顶面平齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的