[实用新型]一种窄脉冲产生电路有效
| 申请号： | 201720858821.8 | 申请日： | 2017-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN207135075U | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王文建 | 申请（专利权）人： | 杭州展虹科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/021 | 分类号： | H03K3/021 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种窄脉冲产生电路，该电路包括第一反相器、第二反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三反相器、第一与非门和第四反相器。本实用新型所达到的有益效果在于，电路结构简单，用到的管子少，所占芯片面积小；整个电路只需要输入端输入脉冲信号，不需要其他控制，延时部分主要是利用所述第一NMOS管的沟道电阻和所述第三NMOS管形成的电容来确定，输出稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 脉冲 产生 电路 | ||
【主权项】：
一种窄脉冲产生电路，其特征在于，包括第一反相器、第二反相器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三反相器、第一与非门和第四反相器；所述第一反相器的输入端接窄脉冲产生电路的输入端IN，输出端接所述第二反相器的输入端和所述第二NMOS管的栅极；所述第二反相器的输出端接所述第一NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的漏极接所述第一NMOS管的源极、所述第三NMOS管的栅极和所述第三反相器的输入端；所述第一NMOS管的栅极接窄脉冲产生电路的输入端IN；所述第二NMOS管的源极接地；所述第三NMOS管的源极和漏极接地；所述第一与非门的一输入端接窄脉冲产生电路的IN端，另一输入端接所述第三反相器的输出端，输出端接所述第四反相器的输入端；所述第四反相器的输出端作为窄脉冲产生电路的输出端。
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