[实用新型]一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构

摘要

本实用新型涉及一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，单片集成声表面波滤波器组芯片包括多个声表面波滤波器结构，声表面波滤波器结构与声表面波滤波器结构间隙处制作有接地金属条；高频去耦金属底座的中部设有芯片粘接键合区，芯片粘接键合区两侧各制作有一个直立金属凸片；高频去耦金属封帽的顶部内侧面制作有一组梳齿状倒立金属凸片；单片集成声表面波滤波器组芯片粘接于高频去耦金属底座的芯片粘接键合区上，高频去耦金属封帽盖于单片集成声表面波滤波器组芯片上。通过本实用新型，有效抑制单一封装体内单片集成声表面波滤波器组芯片上各个声表面波滤波器结构间高频电磁耦合。

主权项

一种单片集成声表面波滤波器组高频去耦封装结构，其特征在于：包括单片集成声表面波滤波器组芯片（1）、高频去耦金属底座（2）、高频去耦金属封帽（3）；所述单片集成声表面波滤波器组芯片（1）包括多个声表面波滤波器结构（11），声表面波滤波器结构（11）与声表面波滤波器结构（11）间隙处制作有接地金属条（12）；所述高频去耦金属底座（2）的中部设有芯片粘接键合区（21），芯片粘接键合区（21）两侧各制作有一个直立金属凸片（22）；所述高频去耦金属封帽（3）的顶部内侧面制作有一组梳齿状倒立金属凸片（31），高频去耦金属封帽（3）上最外侧两个倒立金属凸片（31）与高频去耦金属底座（2）上两个直立金属凸片（22）相对，高频去耦金属封帽（3）上最外侧两个倒立金属凸片（31）之间的其它倒立金属凸片（31）分别与单片集成声表面波滤波器组芯片（1）上声表面波滤波器结构（11）间隙处的各个接地金属条（12）一一相对；所述单片集成声表面波滤波器组芯片（1）粘接于高频去耦金属底座（2）的芯片粘接键合区（21）上，高频去耦金属封帽（3）盖于单片集成声表面波滤波器组芯片（1）上， 且高频去耦金属封帽（3）上最外侧两个倒立金属凸片（31）与高频去耦金属底座（2）上两个直立金属凸片（22）接触，高频去耦金属封帽（3）上最外侧两个倒立金属凸片（31）之间的其它倒立金属凸片（31）分别与单片集成声表面波滤波器组芯片（1）上声表面波滤波器结构（11）间隙处的各个接地金属条（12）一一接触；所述高频去耦金属底座（2）的高频去耦金属底座外沿（24）与高频去耦金属封帽（3）的高频去耦金属封帽凸沿（32）固定连接。