[实用新型]高频数字调制功率放大电路有效
申请号: | 201720232859.4 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN206650634U | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 刘华长;李国顺 | 申请(专利权)人: | 广州万昌音响有限公司 |
主分类号: | H03C3/02 | 分类号: | H03C3/02;H03K5/08;H03F3/181;H04R3/00 |
代理公司: | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司44254 | 代理人: | 刘刚成 |
地址: | 510800 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种高频数字调制功率放大电路,包括数字功放芯片N1、推挽电路和第一限幅电路和第二限幅电路,信号源连接数字功放芯片,所述数字功放芯片连接推挽电路,推挽电路连接信号输出端,第一限幅电路和第二限幅电路分别连接在数字功放芯片与推挽电路之间。在采用高达900HZ的调制频率时,经由推挽电路,能够使效率高达96%,减少能源的损耗,提高空间利用率,而限幅电路起到信号整形的作用,使得输出矩形波信号改善音质,使得音质更加完美,实现高质量音频原音放大。 | ||
搜索关键词: | 高频 数字 调制 功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
高频数字调制功率放大电路, 其特征在于:包括数字功放芯片N1、推挽电路和第一限幅电路和第二限幅电路,信号源连接数字功放芯片,所述数字功放芯片连接推挽电路,推挽电路连接信号输出端,第一限幅电路和第二限幅电路分别连接在数字功放芯片与推挽电路之间;所述推挽电路包括有增强型N‑MOS管Q1和增强型N‑MOS管Q2,第一限幅电路连接在数字功放芯片N1的HO引脚14和增强型N‑MOS管Q1的栅极之间,所述第二限幅电路连接在数字功放芯片N1的LO引脚11和增强型N‑MOS管Q2的栅极之间;所述第一限幅电路包括倒相放大器U1B和三极管V1,数字功放芯片N1的HO引脚14接倒相放大器U1B的引脚13,倒相放大器U1B的引脚12接三极管V1的基极,三极管V1的集电极接增强型N‑MOS管Q1的栅极,三极管V1的发射极接地,所述第二限幅电路包括倒相放大器U1A、三极管V2、三极管V3和三极管V4,所述数字功放芯片N1的LO引脚11接倒相放大器U1A的引脚11,相放大器U1A的引脚10接三极管V2的基极,三极管V2的发射极接地,三极管V2的集电极接三极管V3的基极,三极管V3的发射极接电源正极,三极管V3的集电极接三极管V4的基极,三极管V4的发射极接电源负极,三极管V4的集电极接增强型N‑MOS管Q2的栅极。
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