[实用新型]一种多边双面且高透光率的单晶硅片有效
申请号: | 201720139328.0 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN206451725U | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 周士杰;陈圣铁 | 申请(专利权)人: | 温州隆润科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/056;H01L31/052 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及单晶硅片技术领域,尤其是一种多边双面且高透光率的单晶硅片,包括硅片层,所述硅片层的顶面设置有第三减反射膜,且硅片层的底面设置有第一减反射膜,所述硅片层的左右两个侧边均设置有散热板,且第三减反射膜的顶部设置有透光层,所述透光层的顶面设置有超白钢化玻璃,所述超白钢化玻璃远离透光层的一面贴设有第二减反射膜,所述超白钢化玻璃的两端分别通过连接板连接有弧面反射板,所述弧面反射板罩设在硅片层的底部。本实用新型具有结构简单、使用方便等优点,通过使硅片层双面接受光照,以及在硅片表面设置穿透性高的超白钢化玻璃,能够有效提高硅片的透光率以及受光率。 | ||
搜索关键词: | 一种 多边 双面 透光率 单晶硅 | ||
【主权项】:
一种多边双面且高透光率的单晶硅片,包括硅片层(1),所述硅片层(1)的顶面设置有第三减反射膜(6),且硅片层(1)的底面设置有第一减反射膜(2),其特征在于,所述硅片层(1)的左右两个侧边均设置有散热板(9),且第三减反射膜(6)的顶部设置有透光层(3),所述透光层(3)的顶面设置有超白钢化玻璃(4),所述超白钢化玻璃(4)远离透光层(3)的一面贴设有第二减反射膜(5),所述超白钢化玻璃(4)的两端分别通过连接板(8)连接有弧面反射板(11),所述弧面反射板(11)罩设在硅片层(1)的底部,且弧面反射板(11)的反射聚焦点位于硅片层(1)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的