[发明专利]基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法在审
| 申请号： | 201711498022.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108217579A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张明亮;季安;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 阳极键合 振动空腔 玻璃片 无引线封装 表层金属 高真空 硅玻璃 圆片级 制作 电子束蒸发设备 硅玻璃键合片 贴片元器件 图形化金属 淀积金属 独立器件 对准键合 金属填充 金丝引线 直接形成 锥形通孔 硅结构 通气槽 电极 放入 划片 封装 连通 玻璃 | ||
【主权项】：
1.基于硅玻璃阳极键合的圆片级高真空无引线封装方法，包括：步骤S101：在玻璃片上制作振动空腔、预通孔以及连通振动空腔与预通孔的通气槽；步骤S201：在振动空腔内制作玻璃通孔，形成金属填充电极；步骤S301：将玻璃片的预通孔制作成锥形通孔；通过阳极键合，将玻璃片与待封装硅结构对准键合；步骤S401：将硅玻璃键合片放入电子束蒸发设备中，依次淀积金属钛和表层金属；步骤S501：图形化金属钛和表层金属，划片成独立器件，直接形成无金丝引线的贴片元器件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711498022.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微纳弯曲结构的制备方法
- 下一篇：封装的形成方法
