[发明专利]一种GaN基垂直结构LED器件转移衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201711477659.6 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108123020A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 孙永健;张戌有;胡勇;王光普;郭坚 | 申请（专利权）人： | 保定金阳光能源装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/32;C25D5/10;C25D5/12;C25D5/14;C25D7/12 |
| 代理公司： | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人： | 王葶葶 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基垂直结构LED器件转移衬底的制备方法，样品为生长在蓝宝石衬底上的GaN，将样品放入第一金属电镀池内进行电镀，第一金属电镀池内的金属为铜、钴、钯、金、银中的一种；再放入第二金属电镀池内进行电镀，第二金属电镀池内的金属为镍或钨；再放入第三金属电镀池内进行电镀，第三金属电镀池内的金属为铂、铝、铬和钛中的一种；再放入第二金属电镀池内进行电镀；再放入第一金属电镀池内进行电镀；再放入第二金属电镀池内进行电镀；最后放入第三金属电镀池内进行电镀。本发明改善了电镀金属的致密度，多种金属合金更有助于调节垂直结构LED器件与衬底支撑度；改善了电镀金属与GaN薄膜连接强度，改善了垂直结构LED器件的老化特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电镀 电镀 放入 垂直结构LED 衬底 电镀金属 器件转移 金属 制备 衬底支撑 金属合金 老化特性 蓝宝石 金 银 生长 | ||
【主权项】：
一种GaN基垂直结构LED器件转移衬底的制备方法，其特征在于：样品为生长在蓝宝石衬底上的GaN，其包括以下步骤，(1)首先将样品放入第一金属电镀池内进行电镀；第一金属电镀池内的金属为铜Cu、钴Co、钯Pd、金Au、银Ag中的一种，电镀用电流为1A～10A，电镀金属层厚度为10～15微米；(2)再将电镀第一金属层后的样品放入第二金属电镀池内进行电镀；第二金属电镀池内的金属为镍Ni或钨W，电镀用电流为2A～20A，电镀金属层厚度为15～25微米；(3)将电镀第二金属层后的样品放入第三金属电镀池内进行电镀；第三金属电镀池内的金属为铂Pt、铝Al、铬Cr和钛Ti中的一种，，电镀用电流为3A～15A，电镀金属层厚度为20～30微米；(4)将电镀第三金属层后的样品放入第二金属电镀池内进行电镀；第二金属电镀池内的金属为镍Ni或钨W，电镀用电流为2A～20A，电镀金属层厚度为15～25微米；(5)将电镀第四金属层后的样品放入第一金属电镀池内进行电镀；第一金属电镀池内的金属为铜Cu、钴Co、钯Pd、金Au、银Ag中的一种，电镀用电流为1A～10A，电镀金属层厚度为10～15微米；(6)将电镀第五金属层后的样品放入第二金属电镀池内进行电镀；第二金属电镀池内的金属为镍Ni或钨W，电镀用电流为2A～20A，电镀金属层厚度为15～25微米；(7)将电镀第六金属层后的样品放入第三金属电镀池内进行电镀；第三金属电镀池内的金属为铂Pt、铝Al、铬Cr和钛Ti中的一种，，电镀用电流为3A～15A，电镀金属层厚度为20～30微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于保定金阳光能源装备科技有限公司，未经保定金阳光能源装备科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711477659.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种发光角度可控的LED倒装芯片及其电子设备
- 下一篇：LED组装方法
