[发明专利]一种非晶钛酸锶薄膜器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711474152.5 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108232011B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 汤卉;唐新桂;刘秋香;蒋艳平;张天富 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电子束蒸发溅射形成顶电极，得到非晶钛酸锶薄膜器件。本发明提供的非晶钛酸锶薄膜器件的最大的创新点在器件的主体氧化物薄膜层为非晶薄膜，并且制备方法工艺简单，制备过程中对温度的要求较低，能够进行批量生产，而且制备得到的钛酸锶薄膜器件的稳定性好、耐疲劳能够循环使用，开关比大，400℃退火时开关比达到10 |
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| 搜索关键词： | 一种 非晶钛酸锶 薄膜 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成钛酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电子束蒸发溅射形成顶电极，得到非晶钛酸锶薄膜器件。
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