[发明专利]一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法有效
| 申请号： | 201711470090.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108155028B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李国华;操梦雅;李盼盼;晋华东;李婉青;陈志成 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/30;C01G39/06;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230601 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其是首先通过两步水热法合成不同尺寸大小的类花状MoS |
||
| 搜索关键词： | 种类 二硫化钼 性能 超级 电容器 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将钼片与硫脲、硝酸混合置于不锈钢反应釜内衬中密封，200℃反应24小时；反应结束后自然冷却至室温，所得产物用乙醇和蒸馏水清洗，最后真空干燥，得到中间产物MoO3；(2)取中间产物MoO3和硫脲溶于蒸馏水中，磁力搅拌均匀，然后转移至不锈钢反应釜内衬中密封，160～240℃反应24小时，反应结束后自然冷却至室温，所得产物用离心机离心分离，再用乙醇和蒸馏水清洗，最后真空干燥，得到类花状MoS2纳米球；(3)将类花状MoS2纳米球与炭黑、聚偏二氟乙烯按照质量比(8～10):1:1的比例混合溶于N‑甲基吡咯烷酮中，搅拌均匀，所得混合物涂覆于泡沫镍上，然后在15～25MPa的压力下对泡沫镍进行压片处理，最后置于真空干燥箱中70～100℃保持6～12小时，即获得类花状二硫化钼高性能超级电容器电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽大学，未经安徽大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711470090.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
