[发明专利]一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法

权利要求书

1.一种类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将钼片与硫脲、硝酸混合置于不锈钢反应釜内衬中密封，200℃反应24小时；反应结束后自然冷却至室温，所得产物用乙醇和蒸馏水清洗，最后真空干燥，得到中间产物MoO₃；

其中，钼片与硫脲的摩尔比为1：1，所述硝酸的质量浓度为65％～68％，钼片与硝酸的质量体积比为1g：30mL；

(2)取中间产物MoO₃和硫脲按摩尔比为1：7.5溶于蒸馏水中，磁力搅拌均匀，然后转移至不锈钢反应釜内衬中密封，160～240℃反应24小时，反应结束后自然冷却至室温，所得产物用离心机离心分离，再用乙醇和蒸馏水清洗，最后真空干燥，得到类花状MoS₂纳米球；

(3)将类花状MoS₂纳米球与炭黑、聚偏二氟乙烯按照质量比(8～10):1:1的比例混合溶于N-甲基吡咯烷酮中，搅拌均匀，所得混合物涂覆于泡沫镍上，然后在15～25MPa的压力下对泡沫镍进行压片处理，最后置于真空干燥箱中70～100℃保持6～12小时，即获得类花状二硫化钼高性能超级电容器电极。

2.根据权利要求1所述的类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述磁力搅拌的时间为60～90分钟，所述离心机离心的转速为8000r/min。

3.根据权利要求1所述的类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，类花状MoS₂纳米球与炭黑、聚偏二氟乙烯的质量比为8：1：1。

4.根据权利要求1所述的类花状二硫化钼高性能超级电容器电极的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，压片压力为20兆帕，真空干燥箱温度为90℃。