[发明专利]一种持续供料的SiC单晶生长系统在审
| 申请号： | 201711465087.X | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN107955969A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘新辉;杨昆;路亚娟;牛晓龙;郑清超 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京连城创新知识产权代理有限公司11254 | 代理人： | 刘伍堂 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种持续供料的SiC单晶生长系统，主要包括生长炉、坩埚和传动装置，其中，所述坩埚包括上坩埚和下坩埚，其中，所述上坩埚固定于炉腔的上部，在所述上坩埚内的顶部固定有籽晶；所述下坩埚位于炉腔的下部，在所述下坩埚内设有SiC粉料，且多个所述下坩埚分别设置于所述传动装置上，通过所述传动装置将所述多个下坩埚交替上升至炉腔的上部与所述上坩埚连接，进行所述SiC粉料的持续替换。本发明把坩埚分离为上下两个部分，上部固定籽晶，下部装粉料，晶体生长到一定阶段后，利用传动装置下部碳化消耗过的粉料替换成新粉料，在晶体生长过程中粉料可以不断替换，实现了晶体的不断生长和C包裹物的减少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 持续 供料 sic 生长 系统 | ||
【主权项】：
一种持续供料的SiC单晶生长系统，包括：生长炉、坩埚和传动装置，其特征在于，其中，所述坩埚包括：上坩埚和下坩埚，其中，所述上坩埚固定于炉腔的上部，在所述上坩埚内的顶部固定有籽晶；所述下坩埚位于炉腔的下部，在所述下坩埚内设有SiC粉料，且多个所述下坩埚分别设置于所述传动装置上，通过所述传动装置将所述多个下坩埚交替上升至炉腔的上部与所述上坩埚连接，进行所述SiC粉料的持续替换。
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