[发明专利]一种持续供料的SiC单晶生长系统

权利要求书

1.一种持续供料的SiC单晶生长系统，包括：生长炉、坩埚和传动装置，其特征在于，其中，

所述坩埚包括：上坩埚和下坩埚，其中，所述上坩埚固定于炉腔的上部，在所述上坩埚内的顶部固定有籽晶；

所述下坩埚位于炉腔的下部，在所述下坩埚内设有SiC粉料，且多个所述下坩埚分别设置于所述传动装置上，通过所述传动装置将所述多个下坩埚交替上升至炉腔的上部与所述上坩埚连接，进行所述SiC粉料的持续替换。

2.根据权利要求1所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述传动装置包括：传动机、传动杆和支撑板，其中，所述传动杆一端伸入炉体与所述支撑板相连，所述下坩埚设置于所述支撑板上，所述传动杆的另一端位于炉外且与所述传动机相连。

3.根据权利要求2所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述传动杆与炉体的连接处采用密封件进行密封。

4.根据权利要求2所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述上坩埚和下坩埚进行卡接。

5.根据权利要求2所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，还包括：设置于炉腔的隔热层和感应线圈，其中，所述坩埚设置于所述隔热层内，所述感应线圈设置于所述隔热层的外部。

6.根据权利要求5所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述隔热层的底部为开口，所述支撑板通过所述开口上升，将所述开口进行密封。

7.根据权利要求6所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述支撑板与隔热层的材质相同。

8.根据权利要求5所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述隔热层的顶部设有测温孔。

9.根据权利要求2所述的SiC单晶生长系统，其特征在于，所述炉体上还设有气体入口，用于调节炉腔内的压力。

10.一种利用权利要求1-9中任一项所述的SiC单晶生长系统生长单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1） 将SiC粉料放置下坩埚内，将籽晶固定于上坩埚内的顶部；

（2）通过传动装置将下坩埚升至炉腔的上部与所述上坩埚连接；

（3）向炉腔内充入气体，使炉腔内维持一定的压力，感应加热使得上部炉腔内的温度升高；

（4）降低炉腔内压力，使SiC粉料开始升华，晶体开始生长；

（5）生长一定时间后，升高炉腔内压力，使得晶体停止生长；

（6）通过传动装置把盛有消耗过SiC粉料的下坩埚降下，把盛有新SiC粉料的另外一个下坩埚升到炉腔上部，与上坩埚连接，感应加热一段时间；

（7）重复所述步骤（4）-（6），直至多个下坩埚内的新SiC粉料都消耗完毕；

（8）降低温度，取出生长完毕的晶体。