[发明专利]绝缘层覆硅结构有效
| 申请号： | 201711463663.7 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107994037B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种绝缘层覆硅结构。绝缘层覆硅结构包含一底层，一主动层，绝缘层，一第一绝缘结构，一第二绝缘结构与一阻隔层。主动层位于底层上方。第一绝缘结构位于主动层与底层之间。第二绝缘结构绕主动层与第一绝缘结构。主动层嵌于第一绝缘结构中，且主动层的上表面与第二绝缘结构的上表面为共平面。阻隔层位于第二绝缘结构中并环绕主动层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层覆硅 结构 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘层覆硅结构，其特征在于，包含：一底层；一主动层位于该底层上方；一第一绝缘结构位于该主动层与该底层之间；一第二绝缘结构绕该主动层与该第一绝缘结构，其中该主动层嵌于该第一绝缘结构与该第二绝缘结构共同组成的一绝缘层中，且该主动层的一上表面与该第二绝缘结构的一上表面为共平面；以及一阻隔层位于该第二绝缘结构中并环绕该主动层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
