[发明专利]一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池及其制备方法，它依次包括玻璃衬底层、透明导电膜层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层、封装材料层和背板玻璃层，所述背接触层的材料选用硫氰酸亚铜，背电极层的材料选用掺钨氧化铟。本发明采用p型材料硫氰酸亚铜做背接触层，掺钨氧化铟做背电极层，实现了碲化镉电池的背部电极透明，进而实现了双面发电，提高了电池的发电量，同时强p型的背接触可以提高内建电场，提高碲化镉太阳电池的Voc和FF，进而提高了电池的性能。

主权项

1.一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，依次包括玻璃衬底层、透明导电膜层、窗口层、吸收层、背接触层、背电极层、封装材料层和背板玻璃层，其特征在于：所述背接触层的材料选用硫氰酸亚铜，背电极层的材料选用掺钨氧化铟。

2.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述玻璃衬底层的材料选自普通浮法玻璃、超白玻璃、钢化玻璃和半钢化玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述透明导电膜层的材料选自掺氟的氧化锡。

4.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述窗口层的材料为硫化镉，吸收层的材料为碲化镉。

5.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述封装材料层的材料选自POE、EVA和PVB。

6.根据权利要求1所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池，其特征在于：所述背板玻璃层的材料选自钢化玻璃和半钢化玻璃。

7.一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)在玻璃衬底上沉积掺氟氧化锡形成透明导电膜层，沉积温度条件为低于400℃；

(2)在透明导电膜层上沉积硫化镉形成窗口层，沉积温度条件为低于250℃；

(3)在窗口层上沉积碲化镉形成吸收层，沉积温度条件为低于300℃；

(4)在吸收层上沉积硫氰酸亚铜形成背接触层，沉积温度条件为低于300℃；

(5)在背接触层上沉积掺钨氧化铟形成背电极层，沉积温度条件为低于300℃；

(6)用封装材料将沉积好各层的玻璃衬底与背板玻璃进行层压封装。

8.根据权利要求7所述的一种双面发电的碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述玻璃衬底上各层的沉积方式采用低温沉积方式。