[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
申请号: | 201711456660.0 | 申请日: | 2017-12-28 |
公开(公告)号: | CN108269809A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 洪泌荀;郑贤映;朴喆远;朴贵铉;朴廷敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括位于第一基体基底上的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅电极,设置在第一基体基底上;有源图案,设置在第一基体基底上,并包括包含非晶硅的半导体层和位于半导体层上的欧姆接触层;漏电极,设置在欧姆接触层上并具有第一厚度;以及源电极,设置在欧姆接触层上并具有大于第一厚度的第二厚度。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 欧姆接触层 基底 薄膜晶体管 半导体层 非晶硅 漏电极 源电极 源图案 栅电极 制造 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,所述显示装置包括:薄膜晶体管,位于第一基体基底上,所述薄膜晶体管包括:栅电极,设置在所述第一基体基底上;有源图案,设置在所述第一基体基底上,所述有源图案包括包含非晶硅的半导体层和位于所述半导体层上的欧姆接触层;漏电极,设置在所述欧姆接触层上,所述漏电极具有第一厚度;以及源电极,设置在所述欧姆接触层上,所述源电极具有比所述漏电极的所述第一厚度大的第二厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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