[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法

说明书

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括位于第一基体基底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅电极，设置在第一基体基底上；有源图案，设置在第一基体基底上，并包括包含非晶硅的半导体层和位于半导体层上的欧姆接触层；漏电极，设置在欧姆接触层上并具有第一厚度；以及源电极，设置在欧姆接触层上并具有大于第一厚度的第二厚度。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。更具体地，发明的示例性实施例涉及一种包括具有相对短的沟道结构的薄膜晶体管的显示装置以及一种制造该显示装置的方法。

背景技术

已经制造了具有相对轻的重量和小的尺寸的显示装置。阴极射线管(CRT)显示装置由于相对良好的性能和有竞争力的价格已被使用。然而，CRT显示装置具有其尺寸或便携性的弱点。因此诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光显示装置的显示装置由于相对小的尺寸、质轻和低功耗已引起高度重视。

发明内容

本发明的一个或更多个示例实施例提供了一种包括具有相对短的沟道结构的薄膜晶体管的显示装置。

本发明的一个或更多个示例性实施例还提供了一种制造显示装置的方法。

根据本发明的示例性实施例，显示装置包括位于第一基体基底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅电极，设置在第一基体基底上；有源图案，设置在第一基体基底上，并包括包含非晶硅的半导体层和位于半导体层上的欧姆接触层；漏电极，设置在欧姆接触层上并具有第一厚度；以及源电极，设置在欧姆接触层上并具有大于第一厚度的第二厚度。

在示例性实施例中，欧姆接触层可以包括第一欧姆接触层和与第一欧姆接触层分隔开的第二欧姆接触层。薄膜晶体管的沟道的宽度可以由半导体层的位于彼此分隔开的第一欧姆接触层与第二欧姆接触层之间的距离来限定。

在示例性实施例中，薄膜晶体管的沟道的宽度可以是漏电极的第一厚度的至少两倍。

在示例性实施例中，沟道的宽度可以为大约1微米(μm)至大约2μm。

在示例性实施例中，源电极可以包括与漏电极邻近的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面，源电极的上表面的宽度可以小于源电极的下表面的宽度。相对于第一基体基底的上表面的法线方向，第一侧表面可以以第一倾斜角倾斜，第二侧表面可以以第二倾斜角倾斜。第一倾斜角大于第二倾斜角。

在示例性实施例中，第一倾斜角可以为大约60度至大约80度，第二倾斜角可以为大约10度至大约20度。

在示例性实施例中，源电极的第二厚度可以为漏电极的第一厚度的至少1.2倍。

在示例性实施例中，第一厚度可以为大约0.5μm至大约1μm。

在示例性实施例中，显示装置还可以包括：第一绝缘层，设置在栅电极与有源图案之间；第二绝缘层，设置在漏电极上；像素电极，设置在第二绝缘层上，并通过穿过第二绝缘层形成的接触孔电连接到漏电极；栅极线，电连接到栅电极；以及数据线，电连接到源电极。数据线的厚度限定源电极的第二厚度。

在示例性实施例中，第一欧姆接触层和漏电极可以在俯视平面图中具有相同的形状。第二欧姆接触层和源电极可以在俯视平面图中具有相同的形状。