[发明专利]一种氮化铝自成核生长方法有效
| 申请号： | 201711454380.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108149324B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 杨丽雯;程章勇;刘欣宇 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型氮化铝自成核生长方法，该方法包括：1)氮化铝自成核生长的前期升温过程采用保护层对料源和晶体生长点进行隔离，将保护层插在籽晶盖和料源之间；2)从1850℃‑2150℃温度区间，以40℃/h的速率慢速升温到氮化铝成核窗口温度2150℃‑2200℃；升温过程中，压力保持为150KPa不变；3)使温度处于2150℃‑2200℃之间，将压力降到80000‑90000Pa之间,氮化铝开始成核生长，维持生长时间30h；4)1h内将温度从2150℃‑2200℃降到1500℃，同时将炉内充入氩气。本申请实施简单，通过在料源和籽晶盖之间插入晶片保护层的方法，避免了在达到最佳C轴(0001)晶体生长温场前，氮化铝在碳化钽籽晶盖上过早成核造成的成核点过多的现象。该方案造价低，重复性高，效果明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 成核 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种新型氮化铝自成核生长方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：1)氮化铝自成核生长的前期升温过程采用保护层对料源和晶体生长点进行隔离，将所述保护层插在籽晶盖和料源之间，对生长界面和料源进行隔绝；2)从1850℃‑2150℃温度区间，以40℃/h的速率慢速升温到氮化铝成核窗口温度2150℃‑2200℃；升温过程中，压力保持为150KPa不变；3)使温度处于2150℃‑2200℃之间，将压力降到80000‑90000Pa之间,氮化铝开始成核生长，维持生长时间30h；4)1h内将温度从2150℃‑2200℃降到1500℃，同时将炉内充入氩气。
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