[发明专利]一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法在审
| 申请号： | 201711453234.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108085744A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 沈桂英;赵有文;白永彪;刘京明;谢辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B31/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法，该方法在砷化铟单晶片的上下表面沉积一层具有一定厚度的锰薄膜作为扩散源，在砷的气氛中进行高温长时间热处理，使锰原子扩散到砷化铟材料内，并激活为有效受主，最后以适当的方法去除残留的扩散源，从而得到P型锰掺杂的砷化铟单晶。利用本发明，可以得到P型重掺的Mn‑InAs单晶，从而解决传统直拉法难以生长高掺杂浓度的Mn‑InAs单晶的难题，促进新型器件的研发与应用。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化铟 单晶 锰掺杂 扩散源 制备 热处理 上下表面 新型器件 单晶片 高掺杂 锰薄膜 锰原子 直拉法 沉积 去除 受主 研发 残留 激活 扩散 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：选取N型砷化铟单晶片作为衬底，对该衬底进行双面化学机械抛光，双面清洗并吹干；步骤2：在N型砷化铟单晶片的上下表面沉积一层锰薄膜；步骤3：将石英管和封泡用王水浸泡，采用去离子水冲洗干净并烘干，将具有锰薄膜的砷化铟晶片和适量砷放入石英管，用氢氧焰烧结封泡封口：步骤4：对石英管进行高温长时热处理，该热处理是在砷气氛下进行，使砷化铟单晶片表面锰薄膜中的锰原子扩散到砷化铟单晶片中，得到锰掺杂的砷化铟单晶片；步骤5：待温度降到室温，取出锰掺杂的砷化铟单晶片；步骤6：对锰掺杂的砷化铟单晶片的上下表面进行化学机械抛光，去除表面的氧化物和残留杂质原子；步骤7：对锰掺杂的砷化铟单晶片表面进行腐蚀清洗，然后吹干，得到P型锰掺杂的砷化铟单晶。
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