[发明专利]一种高取向的氧化物压电薄膜的制备方法及压电薄膜有效
| 申请号： | 201711441965.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108039407B | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 陈显锋 | 申请（专利权）人： | 佛山市卓膜科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/22 | 分类号： | H01L41/22;H01L41/08 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高取向的氧化物压电薄膜的制备方法及压电薄膜，所述方法包括：通过旋涂法将制备的所述氧化物溶胶‑凝胶液旋涂到基板上，然后对形成的涂层进行90～330℃的加热处理，使所述涂层形成非晶态固体层，加热后的结构材料放入等离子体处理设备中，对非晶态固体层进行等离子表面处理，处理后的非晶态固体层再进一步加热，使其变为结晶体，得压电薄膜成品；所述方法容易实现，得到的压电薄膜（111）晶体取向高，（111）取向的XRD相对强度大于90%，稳定性好，重现性高，集成度好，适用于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 氧化物 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高取向的氧化物压电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A.在基板上形成所述氧化物的非晶态固体层；B.将步骤A中的非晶态固体层进行等离子表面处理；C.对步骤B处理后的非晶态固体层进行加热处理，使其变为结晶体，得压电薄膜成品。
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