[发明专利]一种加载希尔伯特曲线型人工磁导体的八木-宇田天线在审
| 申请号： | 201711441165.2 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108206325A | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘桂;郅瑞行;李理敏;陈博 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q1/50 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种加载希尔伯特曲线型人工磁导体的八木‑宇田天线，包括由下到上的硅衬底层、SiO2层、SiN层，所述的SiO2层包含六层金属层，从下到上依次是M1到M6金属层，八木宇田天线的主单元位于所述M6金属层，周期加载的希尔伯特曲线型人工磁导体位于所述M1金属层。本发明设计的天线，可以减少所述硅衬底对天线辐射的影响，进而提高天线的辐射效率与增益。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 人工磁导体 曲线型 加载 天线 八木-宇田天线 八木宇田天线 辐射效率 硅衬底层 天线辐射 硅衬底 主单元 八木 | ||
【主权项】：
1.一种加载希尔伯特曲线型人工磁导体的八木‑宇田天线，包括由下到上的硅衬底层、SiO2层和SiN层，其特征在于：SiO2层包含六层金属层，从下到上依次是M1到M6金属层，八木‑宇田天线的主单元位于所述M6金属层，加载的希尔伯特曲线型人工磁导体位于所述M1金属层，希尔伯特曲线型人工磁导体由呈周期阵列方式分布的多个希尔伯特曲线型人工磁导体单元组成。
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