[发明专利]水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法有效
| 申请号： | 201711440730.3 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107955971B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 马英俊;郑安生;马远飞;林泉;易见伟;龙彪;张洁;邢爱君 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 065001 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法，包括：将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体，接种籽晶；当晶体由高温区生长至距界面区第一固定距离时，以0.5‑3.0℃/h的降温速率降低界面区温度，并以特定速率移动水平单晶炉加热体；当晶体的生长界面距界面区第二固定距离时，停止移动水平单晶炉加热体；继续以1‑8℃/h的降温速率对界面区继续降温，将晶体生长界面回调至距界面区的第一固定距离处；循环重复上述步骤，直至晶体生长长度达到标准长度。本发明的放肩方法可有效降低放肩时晶体生长出现孪晶、夹晶和花晶情况几率，提高单晶生长放肩成功率，从而大幅提高单晶生长成品率和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 法砷化镓单晶 拉制 过程 中的 方法 | ||
【主权项】：
水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法，其特征在于，所述放肩方法在水平单晶炉加热体中实现，所述水平单晶炉加热体包括沿水平方向设置的十二个加热区段，所述十二个加热区段依次编号为Ι～XII，其中Ι～VI区为各区温度依次升高的高温区，VII区为界面区，VIII～XII区为温度各区温度依次降低的低温区，所述放肩方法包括以下步骤：S1：将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体，降温进行接籽晶；S2：当晶体由高温区生长至挨近VII区，且生长界面距VII区第一固定距离时，以第一降温速率降低VII区温度，并以特定速率移动水平单晶炉加热体；S3：直至晶体的生长界面进一步挨近VII区，并距VII区第二固定距离时，停止移动水平单晶炉加热体；S4：继续以第二降温速率对VII区继续降温，将晶体生长界面回调至挨近VII区的第一固定距离；S5：循环重复步骤S2～S4，直至晶体生长长度达到标准长度；其中，第一降温速率为0.5‑3.0℃/h，所述第二降温速率为1‑8℃/h。
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