[发明专利]一种表面梯度薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201711416464.0 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108179384B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 朴钟宇;周振宇;郑秋阳;周仁泽;余光磊 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30;C23C14/28;C23C14/04;C23C14/58
代理公司: 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 代理人: 王利强;李百玲
地址: 310014 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种表面梯度薄膜的制备方法,包括表面梯度薄膜制备装置,所述制备方法还包括以下步骤:首先将真空腔室抽真空,源内的靶材通过坩埚加热或电子束加热气化,成为离散态的微观粒子,向四周扩散;在经过遮板位置时,部分微观粒子会被遮挡,通过调节遮板的大小、方向来控制经过的微观粒子的含量和扩散的主次方向;遮板可以保持一定姿态,使各个方向源的辐射强度不同,在某个方向形成线性梯度,也可以在制备过程中保持转动,使各个方向源的辐射强度均匀。本发明提供了一种通过但不仅限于气象沉积或溅射等制备工艺,使用二元到四元甚至更多元素种类的源材,在基质上制备出横向梯度线性变化,且厚度均匀的表面梯度薄膜的制备方法。
搜索关键词: 一种 表面 梯度 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种表面梯度薄膜的制备方法,其特征在于:包括表面梯度薄膜制备装置,所述表面梯度薄膜制备装置包括:可实现真空、容纳所有部件的真空腔室;用于放置并辐射靶材的源;可分别控制的、与源数量匹配的位于源前可实现部分遮盖的遮板;用于沉积薄膜的基质;置于基质背侧、用于加热的加热装置;所述制备方法还包括以下步骤:首先将真空腔室抽真空,源内的靶材通过坩埚加热或电子束加热气化,成为离散态的微观粒子,向四周扩散;在经过遮板位置时,部分微观粒子会被遮挡,通过调节遮板的大小、方向来控制经过的微观粒子的含量和扩散的主次方向;当至少采用两个源时,遮板可以保持一定姿态,使各个方向源的辐射强度不同,在某个方向形成线性梯度,也可以在制备过程中保持转动,使各个方向源的辐射强度均匀;若遮板遮盖区域大小不变,则可在一定范围制备出梯度在有限范围内变化的梯度薄膜,梯度仍遵循线性变化;若控制遮盖区域匀速变化,则可通过匀速规律移动基质,在基质表面形成0%~100%多组分横向梯度变化的薄膜;通过控制基质按规律移动,可在基质的不同部位进行薄膜加工,最后通过加热装置给基质加热进行退火晶化处理。
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