[发明专利]等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法在审
申请号: | 201711407492.6 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108130524A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 邵涛;马翊洋;章程;孔飞;高远 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/52;C23C16/40 |
代理公司: | 北京君泊知识产权代理有限公司 11496 | 代理人: | 王程远;胡玉章 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子体射流沉积薄膜装置及浅化表面陷阱能级的方法,该装置包括:等离子体射流阵列,其置于钢化玻璃腔内,且等离子体射流阵列包括石英管、中空金属毛细管、铜箔和三维移动平台;中空金属毛细管穿插于石英管中,且中空金属毛细管外壁与石英管内壁不接触;铜箔,其设于石英管底部,用于接地;三维移动平台设于石英管的正下方,调控样品的移动;鼓泡瓶,其一端与第一气瓶连接,鼓泡瓶另一端与中空金属毛细管上管口连接;第二气瓶,其与中空金属毛细管上管口连接;电源,其与中空金属毛细管连接。 | ||
搜索关键词: | 中空金属 等离子体射流 毛细管 石英管 能级 三维移动平台 表面陷阱 沉积薄膜 鼓泡瓶 上管口 气瓶 铜箔 钢化玻璃 毛细管连接 毛细管外壁 石英管内壁 接地 不接触 腔内 穿插 电源 调控 移动 | ||
【主权项】:
一种等离子体射流沉积薄膜装置,其特征在于,包括:等离子体射流阵列,其置于钢化玻璃腔(16)内,且所述等离子体射流阵列包括石英管(6)、中空金属毛细管(7)、铜箔(8)和三维移动平台(11);所述中空金属毛细管(7)穿插于所述石英管(6)中,且所述中空金属毛细管(7)外壁与所述石英管(6)内壁不接触,所述中空金属毛细管(7)下管口位于所述石英管(6)下管口的上方;所述铜箔(8),其贴于所述石英管(6)外壁下方,且所述铜箔(8)位于所述中空金属毛细管(7)下管口的下方;所述三维移动平台(11)设于所述石英管(6)的正下方;鼓泡瓶(5),其一端与所述第一气瓶(1)连接,所述鼓泡瓶(5)另一端与所述中空金属毛细管(7)上管口连接;第二气瓶(2),其与所述中空金属毛细管(7)上管口连接;电源(17),其与所述中空金属毛细管(7)连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的