[发明专利]竖直存储器装置有效
| 申请号： | 201711403564.X | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231781B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 金灿镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B43/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极各自包括基本上水平地彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔延伸穿过包括在栅电极中的每一个中的第一栅电极中的一个。可在所述一个第一栅电极中的一个孔中形成多个沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 存储器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种竖直存储器装置，包括：模具结构，其包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，所述栅电极在实质上垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平处，并且所述绝缘图案布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间；以及多个沟道，其设置在在竖直方向上延伸穿过所述模具结构的孔中，所述多个沟道在所述孔中在实质上平行于所述衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开，其中，所述栅电极中的每一个包括在水平方向上彼此间隔开的多个第一栅电极，并且其中，所述孔延伸穿过包括在所述栅电极中的每一个中的所述多个第一栅电极中的一个。
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