[发明专利]竖直存储器装置

说明书

一种竖直存储器装置包括模具结构和沟道。模具结构包括设置在衬底上的栅电极和绝缘图案，其中栅电极在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平。绝缘图案布置在邻近的栅电极之间。沟道在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极各自包括基本上水平地彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔延伸穿过包括在栅电极中的每一个中的第一栅电极中的一个。可在所述一个第一栅电极中的一个孔中形成多个沟道。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年12月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2016-0176705的优先权，该申请的内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思整体涉及竖直存储器装置，并且更具体地说，本发明构思涉及包括竖直地延伸的沟道的竖直非易失性存储器装置。

背景技术

随着在VNAND闪速存储器装置中竖直地堆叠的台阶数量增大，形成沟道孔由于其高的宽高比而变得更加困难。而且，如果沟道孔的宽度增大，则在这种情况下，VNAND闪速存储器装置的面积增大。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供了一种具有改进的特征的竖直存储器装置。

根据本发明构思的实施例，提供了一种竖直存储器装置。竖直存储器装置可包括模具结构和多个沟道。模具结构可包括布置在衬底上的栅电极和绝缘图案。栅电极可在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平，并且绝缘图案可布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间。沟道可在孔中在竖直方向上延伸穿过模具结构，并且可在所述孔中在基本平行于衬底的上表面的水平方向上彼此间隔开。栅电极中的每一个可包括在水平方向上彼此间隔开的多个第一栅电极。所述孔可延伸穿过在栅电极中的每一个中包括的所述多个第一栅电极之一。

根据本发明构思的实施例，分隔图案延伸穿过第一栅电极之一的孔，并且将所述孔划分为多个子沟道。

根据本发明构思的实施例，提供了一种竖直存储器装置。该竖直存储器装置可包括栅电极和沟道。栅电极可相对于衬底的上表面在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上形成在多个水平，并且栅电极中的每一个可包括在基本平行于衬底的上表面的水平方向上布置的多个第一栅电极。沟道可在衬底上在竖直方向上延伸穿过在栅电极中的每一个中包括的第一栅电极之一，所述沟道可直接接触绝缘分隔图案并且可通过绝缘分隔图案彼此间隔开。

根据本发明构思的实施例，一种竖直存储器装置包括：衬底；模具结构，其布置在衬底上，所述模具结构包括在基本垂直于衬底的上表面的竖直方向上分别布置在多个水平的栅电极和布置在所述栅电极中的邻近的栅电极之间的绝缘图案，其中，模具结构具有在竖直方向上形成的多个沟道孔。栅电极中的每一个包括设置在所述多个水平中的对应的一个水平上并且彼此间隔开的多个第一栅电极，并且其中，所述多个沟道孔之一延伸穿过所述多个第一栅电极中的对应的第一栅电极；并且分隔图案对应地设置以在所述多个第一栅电极中的对应的第一栅电极中的沟道孔中形成多个沟道。

分隔图案可包括绝缘材料。另外，栅电极中的每一个还可包括多个第二栅电极和多个第三栅电极，其中，各个栅电极的对应的第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极按次序堆叠。

第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极可分别包括地选择线、字线和串选择线。

第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极分别形成在多个水平。

第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极可形成在多个水平中的单个水平。

第一栅电极可包括第一栅极导电图案和覆盖第一栅极导电图案的下表面和上表面以及一部分侧壁的第一栅极势垒图案。