[发明专利]一种高可靠性集成电路板的制备方法在审
| 申请号： | 201711397736.7 | 申请日： | 2017-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108133883A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 樊超 | 申请（专利权）人： | 苏州赛源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 韩飞 |
| 地址： | 215011 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法，分别在集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗为间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：在真空压力为‑0.09～‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干，其中，烘干温度为40～60℃。本发明在集成电路板的关键工序前，能够将电路板表面，以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净，且对集成电路板没有任何的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路板 超声清洗 高可靠性 清洗篮 烘干 制备 集成电路板表面 化学气相沉积 电路板表面 电子元器件 纯水冲洗 磁控溅射 关键工序 紧密排列 压缩氮气 真空压力 间歇式 清洗液 水滴 污垢 超声 刻蚀 停歇 浸泡 清洗 腐蚀 曝光 | ||
【主权项】：
一种高可靠性集成电路板的制备方法，其特征在于，分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前，采用如下清洗步骤：步骤1：将集成电路板置于网状清洗篮后，浸泡于清洗液中，在80～120kHZ的频率下超声清洗3～5min，其中，超声清洗的工作方式采用间歇式，超声的工作时间与停歇时间比例为3：1，所述网状清洗篮的孔径高于30mm；步骤2：采用纯水冲洗集成电路板，然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴；步骤3：在真空压力为‑0.09～‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干，其中，烘干温度为40～60℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
