[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201711372233.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108242450A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 金善贤;金汉锡;宋充镐;全真珠 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括第一基板、阻挡结构、第一结构、第二基板和第二结构。第一基板包括其中设置单位像素的器件区域和围绕器件区域的第一剩余划片道区域。第一基板具有第一表面和第二表面。阻挡结构穿透第一剩余划片道区域中的第一基板。第一基板的第一表面在第一结构上。第二基板包括面对第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域。第二基板具有前表面和后表面。第二结构在第二基板的前表面上并面对第一基板的第一表面。第二结构被接合到第一结构。 | ||
搜索关键词: | 第一基板 第二基板 划片道 图像传感器 第一表面 器件区域 阻挡结构 前表面 单位像素 第二表面 接合 后表面 穿透 制造 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:第一基板,包括其中设置多个单位像素的器件区域、围绕所述器件区域的第一剩余划片道区域,并具有第一表面以及与所述第一表面相反的第二表面;阻挡结构,穿透所述第一基板的所述第一剩余划片道区域;第一结构,包括第一导电膜和第一绝缘膜,所述第一基板的所述第一表面在所述第一结构上;第二基板,包括面对所述第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域并具有前表面和后表面;以及第二结构,在所述第二基板的所述前表面上,所述第二结构面对所述第一基板的所述第一表面,所述第二结构接合到所述第一结构,所述第二结构包括第二导电膜和第二绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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