[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
申请号: | 201711372233.4 | 申请日: | 2017-12-19 |
公开(公告)号: | CN108242450A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 金善贤;金汉锡;宋充镐;全真珠 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一基板 第二基板 划片道 图像传感器 第一表面 器件区域 阻挡结构 前表面 单位像素 第二表面 接合 后表面 穿透 制造 | ||
本公开提供了图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括第一基板、阻挡结构、第一结构、第二基板和第二结构。第一基板包括其中设置单位像素的器件区域和围绕器件区域的第一剩余划片道区域。第一基板具有第一表面和第二表面。阻挡结构穿透第一剩余划片道区域中的第一基板。第一基板的第一表面在第一结构上。第二基板包括面对第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域。第二基板具有前表面和后表面。第二结构在第二基板的前表面上并面对第一基板的第一表面。第二结构被接合到第一结构。
技术领域
发明构思涉及一种图像传感器及其制造方法,更具体地,涉及包括剩余划片道区域的图像传感器及其制造方法。
背景技术
通常,图像传感器可以通过切割其上形成有像素的基板的管芯切割工艺(diesawing process)制造。在管芯切割工艺期间,切割刀片沿着划片道区域切割基板以使多个图像传感器彼此物理地分开。为了增加每一基板的图像传感器的数量,已经逐渐减小基板中由划片道区域占据的面积。
发明内容
发明构思提供一种图像传感器,其能够降低由于在管芯切割工艺期间施加到基板的应力而损坏像素的风险。
发明构思还提供一种制造图像传感器的方法,其能够降低在管芯切割工艺期间由于施加到基板的应力而损坏像素的风险。
根据发明构思的一些示例实施方式,一种图像传感器包括第一基板、阻挡结构、第一结构、第二基板和第二结构。第一基板包括其中设置多个单位像素的器件区域和围绕器件区域的第一剩余划片道区域。第一基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面。阻挡结构穿过第一剩余划片道区域中的第一基板。第一基板的第一表面在第一结构上。第一基板包括第一导电膜和第一绝缘膜。第二基板包括面对第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域。第二基板具有前表面和与前表面相反的后表面。第二结构在第二基板的前表面上并面对第一基板的第一表面。第二结构被接合到第一结构。第二结构包括第二导电膜和第二绝缘膜。
根据发明构思的一些示例实施方式,一种制造图像传感器的方法包括:在第一基板的第一表面中形成多个沟槽;填充所述多个沟槽以在第一基板的器件区域和第一剩余划片道区域中同时形成绝缘结构;在第一基板的第一表面上形成第一结构;研磨第一基板的第二表面以暴露绝缘结构;在第二基板的前表面上形成第二结构;以及接合第一结构和第二结构。形成多个沟槽包括分别在第一基板的器件区域和第一剩余划片道区域中形成多个沟槽。第一基板包括在器件区域中的多个像素。第一基板的第二表面与第一表面相反。第一剩余划片区域围绕器件区域。第一结构包括第一导电膜和第一绝缘膜。第二基板包括与前表面相反的后表面。第二结构包括第二导电膜和第二绝缘膜。
根据一些示例实施方式,一种图像传感器包括在第二结构上的第一结构和在第一结构上的第一基板。第一结构包括第一导电膜和第一绝缘膜。第二结构包括第二导电膜和第二绝缘膜。第一基板包括与第二表面相反的第一表面。第一基板包括围绕器件区域的第一剩余划片道区域。器件区域包括多个单位像素。第一基板包括穿过第一基板的第一剩余划片道区域的阻挡结构。
附图说明
从以下结合附图对非限制性的实施方式的详细描述,发明构思将被更清楚地理解,附图中:
图1是根据一些示例实施方式的包括图像传感器的基板的俯视图;
图2是根据一些示例实施方式的图像传感器的俯视图;
图3是根据一些示例实施方式的图像传感器的剩余划片道区域和器件区域的剖视图;
图4是示出在管芯切割工艺期间裂纹在划片道区域中行进的状态的剖视图;
图5是根据一些示例实施方式的图像传感器的器件区域和通路区域的剖视图;
图6A至图6F是用于描述根据一些示例实施方式的制造图像传感器的方法的剖视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的