[发明专利]一种互补型SiC双极集成晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种互补型SiC双极集成晶体管，衬底之上依次设置有八个外延层，钝化层覆盖在各个外延层的表面与侧壁以及第一外延层末端之外衬底的上表面；第八外延层的上端面覆盖有电极一，第八外延层末端之外第七外延层的上端表面覆盖有电极二，第七外延层末端之外第六外延层的上端表面覆盖有电极三，第四外延层末端之外第三外延层的上端表面覆盖有电极四，第三外延层末端之外第二外延层的上端表面覆盖有电极五，第二外延层末端之外第一外延层的上端表面覆盖有电极六。本发明还公开了该种互补型SiC双极集成晶体管的制作方法。本发明pnp晶体管与npn晶体管采用上下分布的纵向结构，结构参数设计相互独立。