[发明专利]复合DBR结构AlGaInP发光二极管在审
| 申请号： | 201711354588.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108091739A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 张勇 | 申请（专利权）人： | 佛山东燊金属制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜春艳 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道平胜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种复合DBR结构AlGaInP发光二极管，其特征在于，其制备过程包括如下步骤：金属有机化学气相沉积系统以高纯氢气作为载气，以三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟、砷烷、磷烷分别作为Ga、Al、In、As、P源，用乙硅烷、二茂镁分别作为N、P型掺杂剂。本发明采用三个反射中心波长的复合DBR反射效率更高，更大提升了AlGaInP LED的出光效率。对于更多反射中心波段的复合DBR对LED出光效率如何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 发光二极管 出光效率 金属有机化学气相沉积系统 反射中心波长 反射效率 反射中心 高纯氢气 三甲基铝 三甲基铟 三甲基镓 制备过程 二茂镁 乙硅烷 波段 磷烷 砷烷 载气 | ||
【主权项】：
1.一种复合DBR结构AlGaInP发光二极管，其特征在于，其制备过程包括如下步骤：金属有机化学气相沉积系统以高纯氢气作为载气，以三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟、砷烷、磷烷分别作为Ga、Al、In、As、P源，用乙硅烷、二茂镁分别作为N、P型掺杂剂。
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