[发明专利]MIM电容器及其制作方法有效
申请号: | 201711354002.0 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN108123040B | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 广东电网有限责任公司电力科学研究院 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02 |
代理公司: | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘瑶云 |
地址: | 510080 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种MIM电容器包括衬底、依序形成于衬底上的绝缘层与导电材料层、依序形成于导电材料层上的第一电极、第一介质、第二电极与隔离层、形成于隔离层上的第三电极、贯穿隔离层将第二电极与第三电极电连接的连接元件、贯穿第三电极与隔离层的开口、设置于第三电极上及开口处的第二电极上的第二介质、形成于第二介质上的第四电极、形成于导电材料层及第四电极上的钝化层、贯穿钝化层且对应导电材料层的第一接触孔、贯穿钝化层且对应第四电极的第二接触孔、通过第一接触孔与导电材料层电连接的第一引线结构、形成于钝化层且对应第三电极或第二电极的第三接触孔、通过第三接触孔连接第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。 | ||
搜索关键词: | 第三电极 导电材料层 第二电极 接触孔 钝化层 隔离层 电连接 电极 贯穿 引线结构 衬底 绝缘层 第一电极 连接元件 开口处 开口 | ||
【主权项】:
1.一种MIM电容器,其特征在于:所述MIM电容器包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的导电材料层、形成于所述导电材料层上的第一电极、形成于所述第一电极上的第一介质层、形成于所述第一介质层上的第二电极、形成于所述第二电极上的隔离层、形成于所述隔离层上的第三电极、贯穿所述隔离层将所述第二电极与第三电极电连接的连接元件、贯穿所述第三电极与所述隔离层的开口、设置于所述第三电极上及所述开口处的所述第二电极上的第二介质层、形成于所述第二介质层上的第四电极、形成于所述导电材料层及所述第四电极上的钝化层、贯穿所述钝化层且对应所述导电材料层的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述第四电极的第二接触孔、通过所述第一接触孔与所述导电材料层电连接的第一引线结构、形成于所述钝化层且对应所述第三电极或第二电极的第三接触孔、通过所述第三接触孔连接所述第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。/n
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