[发明专利]MIM电容器及其制作方法

权利要求书

1.一种MIM电容器，其特征在于：所述MIM电容器包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层、形成于所述绝缘层上的导电材料层、形成于所述导电材料层上的第一电极、形成于所述第一电极上的第一介质层、形成于所述第一介质层上的第二电极、形成于所述第二电极上的隔离层、形成于所述隔离层上的第三电极、贯穿所述隔离层将所述第二电极与第三电极电连接的连接元件、贯穿所述第三电极与所述隔离层的开口、设置于所述第三电极上及所述开口处的所述第二电极上的第二介质层、形成于所述第二介质层上的第四电极、形成于所述导电材料层及所述第四电极上的钝化层、贯穿所述钝化层且对应所述导电材料层的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述第四电极的第二接触孔、通过所述第一接触孔与所述导电材料层电连接的第一引线结构、形成于所述钝化层且对应所述第三电极或第二电极的第三接触孔、通过所述第三接触孔连接所述第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。

2.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述第三接触孔包括第一部分及第二部分，所述第一部分自所述钝化层远离所述导电材料层的表面朝向所述导电材料层延伸，所述第二部分的一端连接所述第一部分，另一端沿着平行所述导电材料层的方向延伸并连接所述第三电极或第二电极的一端。

3.如权利要求2所述的MIM电容器，其特征在于：所述第二部分连接所述第三电极的一端，所述第二引线结构经由所述第三接触孔连接所述第三电极的一端。

4.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述连接元件为钨塞。

5.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述开口将所述隔离层及所述第三电极划分为至少两个相互独立的部分，所述隔离层及所述第三电极的每个部分对应的所述连接元件的数量为至少两个。

6.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述隔离层的材料为硼磷硅玻璃材料或磷硅玻璃材料。

7.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述隔离层的厚度在3500埃至5000埃之间的范围内。

8.如权利要求1所述的MIM电容器，其特征在于：所述第一电极、第二电极、第三电极及第四电极均包括两层氮化钛及夹于所述两层氮化钛之间的钨缓冲层，所述隔离层形成于所述第二电极的上层氮化钛层上。

9.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：

提供衬底、在所述衬底上依序形成绝缘层、导电材料层，在所述导电材料层上依序形成第一电极、第一介质层、及第二电极；

在所述第二电极上形成隔离层；

在所述隔离层上形成第三电极；

形成贯穿所述第三电极及所述隔离层的开口；

在所述第三电极上及所述开口处的第二电极上依序形成第二介质层及第四电极；

形成贯穿所述隔离层将所述第二电极与第三电极电连接的连接元件；

形成于所述导电材料层及所述第四电极上的钝化层；

形成贯穿所述钝化层且对应所述导电材料层的第一接触孔、形成贯穿所述钝化层且对应所述第四电极的第二接触孔、及在所述钝化层中形成对应所述第三电极或第二电极的第三接触孔；

形成通过所述第一接触孔与所述导电材料层电连接的第一引线结构，以及形成通过所述第三接触孔连接所述第三电极或第二电极电连接的第二引线结构。

10.如权利要求9所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述隔离层为通过APCVD方式在所述第二电极上形成的硼磷硅玻璃材料层或磷硅玻璃材料层。