[发明专利]一种量子点薄膜的转印方法有效
| 申请号： | 201711353711.7 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109927435B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 张滔;向超宇;李乐;辛征航;王雄志 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B41M5/382 | 分类号： | B41M5/382;B29C69/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子点薄膜的转印方法，包括步骤：提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理；将经过表面处理的所述初始印章变形处理为印面平整的形变印章；在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。本发明解决了现有的的量子点薄膜转印方法易造成部分薄膜残留，导致转印图案有缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜的转印方法，其特征在于，包括步骤：提供初始印章，所述初始印章的印面设有若干个初始凸型图案和若干个初始凸型图案之间的初始凹型图案；对所述初始印章的初始凹型图案进行表面处理；将经过表面处理的所述初始印章进行变形处理，使所述初始印章印面变形至平面，得到形变印章；在形变印章的印面上制备量子点初始薄膜；将印面制备有量子点初始薄膜的形变印章恢复成初始印章，形成印面初始凸型图案和初始凹型图案上具有量子点图案化薄膜的初始印章；将印面具有量子点图案化薄膜的初始印章与目标基底接触，使所述初始凸型图案上的量子点图案化薄膜转印于目标基底上。
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